C-V相关论文
本论文基于氧化镓单晶衬底和薄膜衬底,制备了不同电极间距的肖特基二极管,对二极管进行了一系列的电学测试,并对测试结果进行了分......
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对GaN器件制备过程中AlN缓冲层相关的电活性缺陷进行了C-V和深能级瞬态谱(DLTS)研究。C-V研究结果表明, 制备态Ni-Au/AlN/Si MIS器......
Photovoltaic Application Study of Zinc Telluride Thin Films Grown by Chemical Bath Deposition Method
Photovoltaic solar thin films zinc telluride studies on chemically deposited have been carried out to assess its suitabi......
We introduce diagrams for m-cluster categories which we call "horizontal" and "vertical" mutation fans. These are analog......
为制备符合铁电场效应晶体管（ Ｆ Ｆ Ｅ Ｔ） 及铁电存储二极管（ Ｆ Ｍ Ｄ） 要求的高质量铁电薄膜，采用 Ｐ Ｌ Ｄ （ Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 工艺， 制备了不同 Ｍ Ｆ （ Ｉ） Ｓ 结构的硅基铁......
报道了使用 355nm激光烧蚀金属钛在 p Si基片上反应性沉积TiO2 薄膜 ,并对Al/TiO2 /Si电容器的C_V和I_V特性进行了测量 .结果表明......
采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布,所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。......
研究了应用双边C-V法测量超浅结(如p+-n结)的掺杂分布。推导了在已知p+-n结的电容-电压(C-VR)关系、n区掺杂、以及热平衡下n区耗尽......
通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在p-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备了ZnO/p-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其......
采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化,并对钝化膜生长工艺进行了改进。采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二......
目的 分析急性心肌梗死老年患者采用D-二聚体及CHA2DS2-VASc评分(以下文章简称“C-V”评分)对术后无复流预测情况.方法 择取急性心......
半导体单层、多层外延材料的纵向浓度分布是一项非常重要的参数,它直接影响器件的性能。纵向浓度分布一般可用自动C-V法或二次谐......
用直接铺展法在硅基片上制备了FeSt_2OH LB膜,制做了Al/FeSt_2OH LB膜/Si(MIS)结构,测定了5层膜的MIS结构的C-V特性曲线。结果表明......
Ta_2O_5是一种性能优良的绝缘体材料,相对于传统MOS工艺中的SiO_2,Si_3N_4而言,它具有很高的介电常数(ε_(Ta_2O_5)=25,ε_(SiO_2......
应用改进C-V模型,进行桥梁下部结构裂缝图像分割,通过裂缝截取、图像填充和旋转变换精确提取裂缝宽度。对不同光照条件下拍摄的在......
用一种联机计算机控制测量系统收集和分析了离子注入MOS结构的1MH_Z电容-电压(C-V)数据。这种分析算法考虑了耗尽区宽度小于两倍德......
电化学C-V测量技术及光伏谱技术在GaAs光阴极材料研究中的应用
Application of Electrochemical C-V Measurement and Photovolta......
本文从工艺的角度叙述了CCD器件研制中的C-V与C-t技术,介绍了TCE氧化和试验结果;分析了二相CCD中获得ΔV_T的方法,对台阶氧化层法......
二相CCD存贮栅的结构和界面性质对电路特性,尤其是转移效率η有很大影响。采用典型的P沟Si栅结构,选用界面性质较好,稳定的HC1或C......
本文叙述了电化学C-V法测量SI-GaAs和n~+-GaAs衬底上的单层和双层外延层中的载流子浓度分布及其厚度。测量和讨论了亚微米有源层、......
利用电子束蒸发在硅片上制成了二氧化钛电容器。二氧化钛膜的厚度范围从500A到2000A。在1000℃温度下,于干氧中淀积后氧化(Postdep......
通常利用Hall系数的测量确定半导体材料的掺杂浓度。我们认为,对Si:In:而言,这样测量的结果误差大。用曲线拟合法测出的Hall浓度是......
测量半导体深中心浓度分布和测量浅杂质浓度分布一样,是一个十分重要的问题.本文提出用C-V 法同时确定半导体中深中心和浅杂质浓度......
本文对在采用金球C-V技术,按照文献[2]所介绍的用d~2V_(FB))/dx~2求热生长SiO_2中电荷分布时的适用范围进行了研究.在我们的实验中......
The thermal ionization energy ET of DX centers in AlxGa1-xAs and its dependence with the value of x and the pressure are......
高频 C-V 法和脉冲 C-V 法在测试 GaAsFET 外延层的 N(x)曲线时结果是有差异的,本文对这些差异作了分析和解释。GaAs FET 外延片......
以ZnO—B_2O_3—SiO_2为主体的锌系玻璃钝化膜具有明显的负电荷效应。MGS结构界面电荷N_(FB)受玻璃微晶化气氛的影响,氮气下形成的......
测量了阳极氧化和ZnS双层介质结构的Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的C-V特性。基于Kane模型并考虑了碲镉汞导带非抛物性和载流子简并效应......
本文在满足均匀掺杂的前提下,将微分C-V法杂质浓度公式进行适当的数学运算,建立起新的C-V杂质浓度公式,提出C_0-V_(1/2)C_0测杂技......
本文指出DX中心电容测量中边区的重要性,提出一种新的瞬态C-V方法,可以用来测量DX中心浓度、导带电子浓度和边区的空间电荷分布及......
本文论述了可以同时进行高/低频电容测量的改进方法,采用这类测量技术可以避免先期方法带来的麻烦。
This article discusses an ......
测量了GD a-Si:H/n-c-Si异质结的高频C-V特性,由平带电压的偏移,计算了有效表面电荷和表面态密度,应用突变异质结能带模型对结果作......
鉴于单汞探针C-V法测试半导体材料杂质浓度分布还有不方便之处及不能准确测试n/p;p/n等异型多层结构外延片电阻率分布的弊病,本文......
In the present work,the I-V and C-V characteristics at variable temperatures are showed in this paper.An Au/GaN schottky......
准静态Ｃ—Ｖ测量中的工频噪声滤除新方法＊李同合陈光遂高捷（西安交通大学微电子工程系西安７１００４９）０引言半导体界面陷阱密度Ｄｉｔ是表征Ｓｉ－ＳｉＯ２界面性质的一个......
复旦大学无线电专业的师生与上海元件五厂仪表设备组的同志们,经过两个月左右的奋战,对原单通道的SBJ记忆示波器,改装成了双通道......
本文阐述了电解液-半导体接触模型,并对HCI溶液与n型InP的势垒特性进行了测量,根据电解液-半导体接触形成肖特基势垒,将电解腐蚀与......
NY-1型电化学C-V自动测试仪是用于半导体外延层载流子浓度纵向分布的测量。由电解液/半导体结电容的测量获得载流子浓度。由结电容......
网络寿命是衡量无线传感器网络性能的一项重要指标.无线传感器网络覆盖空洞问题严重影响了网络寿命.对此,提出一种基于C-V模型的网......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用不同工艺制备了中波碲镉汞(HgCdTe)雪崩二极管(APD)器件,利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征,并基于Beck......
采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化,并对钝化膜生长工艺进行了改进.采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二......
